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2N7002E-T1-E3中文资料

2N7002E-T1-E3图片

2N7002E-T1-E3外观图

  • 大小:82.8KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:240mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V ;RoHS Compliant: Yes
  • 数据列表:2N7002E
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:240mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3 欧姆 @ 250mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:0.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:21pF @ 5V
  • 功率 - 最大:350mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)

2N7002E-T1-E3供应商

更新时间:2022-12-31 00:23:12
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